Eigen RadarBilim
Analiz

Manganez tellürür hesabında üç ayrı direnç durumu elde edildi

Kuramsal bir çalışma, alfa manganez tellürür kullanılan öneri bir manyetik bağlantıda üç farklı direnç durumu hesapladı. Elektrot seçimi ve ara yüzlerdeki atom yapısı, malzemenin içinden geçen elektronların davranışını değiştirdi. Sonuç, birden fazla durumla bilgi saklayabilen bellekler için araştırma yönü sunuyor. Çalışan bir aygıtın üretilmesi ve kullanılabilir direnç farklarının elde edilmesi ise deneysel sorunlar arasında yer alıyor.

Bilim··Akşam
Malzeme araştırma laboratuvarında beyaz seramik kap içindeki mangan tellürür numunesi; yanında çelik cımbız, arka planda bir bilgisayarın arka yüzü.

Manyetik düzen elektron taşınımını değiştiriyor

npj Spintronics'te yayımlanan hakemli kuramsal çalışma, altermıknatıs sınıfındaki alfa manganez tellürürü inceledi. Bu malzemede dengelenmiş manyetik düzen, elektronların spin denen içsel özelliğine bağlı farklı elektronik yapılarla birlikte bulunabiliyor. Araştırmacılar, manyetik etkileşimleri ve elektron taşınımını hesaplayan modeller kullandı. Önceki deneylerde bilinen temel manyetik özellikleri yeniden elde ettikten sonra malzemenin önerilen bir bağlantı içindeki davranışını hesapladı.[1]

Önerilen bağlantıda üç direnç durumu hesaplandı

Hesaplarda manganez tellürür, iki manyetik elektrot arasında ince bir engel olarak ele alındı. Bu engeli kuantum tünellemesiyle aşan elektronların davranışı, hem elektrotların hem de aradaki malzemenin manyetik düzenine bağlı. Uygun elektrotlarla üç ayırt edilebilir direnç durumu elde edildi. Farklı elektrik direnci değerleriyle bilgi temsil eden bellekler üzerindeki araştırmalar açısından bu durumlar bir tasarım olanağı sunuyor.[1]

Elektrotlar ve ara yüzler tasarımı sınırlıyor

Kobalt elektrotlar spin seçiciliğinde beklenen gelişmeyi sağlamadı. Demir, germanyum ve tellür içeren katmanlı elektrotlar engelle daha iyi eşleşti. Ara yüzü sonlandıran atomların türüne göre de taşınım hesapları değişti. Araştırma, çalışan bir bellek aygıtının üretimini içermedi. Temiz ve çok ince ara yüzler yapmak, manyetik düzeni korumak ve kullanılabilir direnç farklarına ulaşmak, hesaplamaların yaklaşık temsil ettiği taşınım etkileriyle birlikte uygulamanın önündeki sorunlar arasında.[1]

Kaynakça

  1. Haber kaynağınpj SpintronicsManganez tellürür için üç dirençli bellek yolu hesaplandı↩1↩2↩3