Eigen RadarBilim
Analiz

Transistör modelinde gerilim dayanımı artarken akım düştü

Hakemli bilgisayar benzetimlerinde, galyum nitrür transistörün delinme gerilimini 978 volta çıkaran bir tasarım belirlendi. Elektrik alanın yayılması, yüksek drenaj geriliminde çıkış akımını da düşürdü. Deney verileriyle ayarlanmış temel bir model kullanan çalışma, sayısal ve analitik sonuçları karşılaştırdı. Önerilen düzen için yeni bir fiziksel transistör üretilip ölçülmedi; sonuçlar incelenen geometriye ve yük tuzaklarına ilişkin varsayımlara bağlı.

Bilim··Gece
Bir yarı iletken araştırma tezgâhında büyüteç altında, seramik taşıyıcıdaki referans galyum nitrür transistörün metal temasları ve ince bağlantı telleri.

Alan plakası elektriksel yüklenmeyi dağıtıyor

Galyum nitrür, güç transistörlerinde kullanılan bir yarı iletkendir. Elektrik alanın kapı ve drenaj yakınında yoğunlaşması, transistörün delinmeden dayanabileceği gerilimi sınırlayabiliyor. Hakemli bir benzetim çalışması, bu yoğunlaşmayı yayan alan plakasını kapı bölgesindeki magnezyum katkısıyla birlikte inceledi. Ele alınan transistörler, anahtarlama sinyali uygulanmadığında kapalı kalacak biçimde tasarlanmıştı. Çalışma, elektrik alanın dağılımı ile aygıtın diğer özelliklerinin birlikte nasıl değiştiğini bilgisayar üzerinden değerlendirdi.[1]

Gerilimdeki iyileşmeye akım düşüşü eşlik ediyor

Hesaplanan en yüksek delinme gerilimi 978 volt oldu. Plakanın daha fazla uzatılması, ucunun yakınında başka bir elektrik alan tepesi oluşturarak gerilim dayanımını düşürdü. Yüksek drenaj geriliminde plakanın eklenmesi, altındaki yük taşıyıcılarını da azaltarak çıkış akımını düşürdü. Bu nedenle en yüksek gerilim dayanımını sağlayan tasarım ile en yüksek akımı veren tasarım farklıydı. Tek bir özelliğin iyileşmesi aygıtın bütün ölçütlerini birlikte yükseltmedi.[1]

Deneyle ayarlanmış modeller sonucun kapsamını belirliyor

Magnezyum katkısı, akımın yanı sıra açılma eşiğini değiştirdi. Hesaplar elektriksel olarak etkin katkıyı toplam magnezyum içeriğinden ayırdı ve yük tuzaklarını içerdi. Temel model daha önceki deney eğrileriyle ayarlandı; sayısal sonuçlar ardından analitik modellerle karşılaştırıldı. Önerilen düzenle yeni bir transistör üretilmedi. Hesaplar arasındaki uyum, kullanılan geometri ve tuzak varsayımlarına bağlı kalıyor.[1]

Kaynakça

  1. Haber kaynağıScientific ReportsGaN transistör benzetimi gerilim dayanımı ile akım arasındaki ödünleşimi belirledi↩1↩2↩3