Samsung, sektörden alınan bilgilere göre Nvidia’ya özel NVHBM belleğin taban yongasında TSMC’nin üretim sürecini kullanmayı kabul etti. Nvidia, tedarikçilerin ürünlerinin tutarlı çalışması ve ayrı doğrulama yükünün azalması için ortak süreç istiyor. Samsung standart bellek ürünlerinde kendi dökümhanesini kullanmayı sürdürüyor. Bildirilen düzenleme, müşteriye özel bu tasarımın üretiminde farklı bir yol izlenmesi anlamına geliyor.
Samsung, Nvidia’ya özel NVHBM belleğin taban yongasında TSMC’nin üretim sürecini kullanma talebini kabul etti. Seoul Economic Daily’nin kendi sektör haberine dayanan bu bilgi, şirketin iç değerlendirmesinin ardından bildirildi. Bellek katmanlarını hesaplama sisteminin geri kalanına bağlayan mantık işlevleri taban yongasında bulunuyor. Samsung, önceki tedarikinde bellek ve taban bileşenlerini kendi üretim süreçleriyle hazırlıyordu.[1]
Nvidia, bu taban yongaları için Samsung, SK Hynix ve Micron’dan TSMC’nin 3 nanometrelik sürecini kullanmalarını istedi. Veriyi saklayan çekirdek yongalar için de 1c dinamik rastgele erişimli bellek sürecini talep etti. Ortak süreçle tedarikçilerin ürünlerinin tutarlı çalışması ve her ürünün ayrıca doğrulanması için gereken işin azalması amaçlanıyor. Yüksek bant genişlikli belleğin, kısaca HBM’nin özelleştirilmiş biçimi olan NVHBM, HBM4E yapısına dayanıyor. Nvidia tasarımı ağustosta duyurmuştu.[1]
Standart HBM4 ve HBM4E ürünlerinde Samsung’un kendi 4 nanometrelik taban yongası süreci korunuyor. Habere göre şirket, AMD dahil başka müşterilere özel bellekte kendi üretimini sürdürüyor; NVHBM taban yongasını kendi dökümhanesinde hazırlama olanağını da sınamayı sürdürüyor. Samsung ile TSMC dört yıl önce paketleme uyumluluğu üzerinde çalışmıştı. O iş birliği belleğin grafik işlemciye bağlanması aşamasındaydı. Yeni bildirilen düzenleme ise bellek bileşeninin doğrudan üretimine uzanıyor.[1]
