Grafen arayüzünde büyük manyetik yanıt elektrikle ayarlandı
Grafen ile katmanlı bir mıknatısın birleştiği yerde, elektronik enerji düzeylerinin büyük ölçüde kaydığı saptandı. Hakemli deney çok düşük sıcaklıkta yapıldı. İki tepe aynı yönde farklı hızlarla ilerledi; elektrik alan değiştirilince konumları da değişti. Araştırmacılar bu alışılmadık yanıtı arayüzdeki yörüngesel manyetizmayla ilişkilendiriyor. Önerilen mikroskobik etkileşimin ayrıntıları ise henüz bütünüyle açıklığa kavuşmuş değil.
Bilim··Sabah
İki elektronik tepe aynı yönde farklı hızlarla kaydı
Hakemli bir deney, grafen ile demir, germanyum ve tellür içeren katmanlı mıknatıs Fe3GeTe2’nin temas bölgesinde büyük bir manyetik yanıt buldu. Uygulanan manyetik alan arttıkça iki elektronik spektrum tepesi daha yüksek enerjiye kaydı; kayma hızları birbirinden farklıydı. Ölçümlere uydurulan doğrular, yaklaşık 30 ve 230 büyüklüğünde etkin Landé g çarpanları verdi. Bu çarpanlar, enerji düzeylerinin manyetik alana ne kadar güçlü yanıt verdiğini tanımlıyor.[1]
Grafen alttaki arayüzün incelenmesini sağladı
Manyetik pul 28 nanometre kalınlığındaydı. Bozulmasını sınırlamak için üstüne grafen, altına grafit yerleştirildi. Taramalı tünelleme mikroskobu ve spektroskopiyle yaklaşık 6,1 kelvinde ölçüm yapıldı. Grafene tünellemenin bastırıldığı enerji aralığında akım, alttaki metalik malzemeye ulaşabildi. Tepeler yalnızca tekil kusurlarda ortaya çıkmadı; yüzey boyunca gözlendi. Aynı kristal grubundan gelen hacimsel örneklerde benzer davranış bulunmaması, etkinin temas bölgesinden doğduğu yorumunu destekledi.[1]
Elektrik alan tepe konumlarını değiştirdi
Mikroskop ucunun uzaklığı değiştirilince arayüzdeki elektrik alan değişti; manyetik alan 2 teslada sabitken de tepe konumları kaydı. Erişilebilen en yüksek alan olan 3 teslaya kadar doygunluk görülmedi. Araştırmacılar hesaplarla ölçümleri birleştirerek, eğilmiş yerel manyetik momentlerle bağlantılı bir katkı da içeren yörüngesel etkileşim açıklaması önerdi. Etkileşimin ayrıntıları henüz çözülmüş değil. Denetlenen yanıt çok düşük sıcaklıktaki bir malzeme arayüzüne ait; çalışmada oda sıcaklığında çalışan elektronik aygıt sınanmadı.[1]
