Eigen RadarBilim
Analiz

Kyoto ekibi SiC transistörleri 150 mm plakaya taşıdı

Kyoto Üniversitesi ile Phenitec Semiconductor, iki tür silisyum karbür transistörü sanayi tesisindeki 150 mm plaka üzerinde üretti. Merkezdeki 90 mm bölgede eşik gerilimi dağılımı dar kaldı. Bu, tek aygıttan çoklu üretime geçişte bir adım; plakanın tamamı için eşdeğer ölçüm ve çalışan bir tümleşik devre henüz gösterilmedi. Bulgular henüz dergide yayımlanmadı; konferansta sunuldu.

Bilim··Öğle
Eldivenli bir teknisyen, parlak üretim alanındaki inceleme masasının üzerinde koyu, yanardöner bir yarı iletken plakayı tutuyor.

Küçük örneklerden sanayi plakasına

Kyoto Üniversitesi araştırmacıları, Phenitec Semiconductor ile sanayi tesisinde silisyum karbürden birleşim alan etkili transistörler üretti. Ekip, küçük laboratuvar örneklerinde geliştirdiği sürecin büyük bölümünü 150 mm çapındaki plakaya taşıdı; burada hem n tipi hem p tipi aygıtlar üretildi ve çalışmaları denetlendi. Çok sayıda küçük transistörü birlikte üretebilmek, ileride tümleşik devre kurmak için önemli. Önceki çalışma 600 °C’de çalışabilen bir yapı göstermişti; yeni duyuru daha yüksek sıcaklık sınırına değil üretim ölçeğine ilişkin.[1]

Dar dağılım merkez bölgede ölçüldü

Eşik gerilimi dağılımı, plakanın merkezindeki 90 mm alanda 0,07 V standart sapmanın altında kaldı. Eşik gerilimi, transistörün iletime geçmeye başladığı sınır; aygıtların birlikte çalışacağı bir devrede aralarındaki dağılım önem taşıyor. Duyuruda plakanın dış bölümü ya da tamamı için karşılaştırılabilir bir sayısal sonuç yok. Mitsuaki Kaneko, ilk üretim denemesinde merkezdeki birörnekliğe şaşırdıklarını söyledi. Ölçüm umut verici olsa da çalışan bir tümleşik devre gösterilmiyor.[1]

Kullanım alanları sonraki aşamada

Kyoto Üniversitesi, yüksek sıcaklıkta çalışan devreler için Venüs keşfini, jeotermal çalışmaları ve jet motorlarındaki algılayıcıları olası kullanım alanları arasında sayıyor. Bunların hiçbiri bu plakanın gösterilmiş bir uygulaması değil. Çalışma Yokohama’daki silisyum karbür konferansında sunuldu; henüz bir dergide yayımlanmadı. Önerilen zorlu ortam kullanımları değerlendirilebilmeden önce, merkez bölgedeki başarılı ölçümün çalışan devreye ve performans sınamalarına taşınması gerekiyor.[1]

Kaynakça

  1. Haber kaynağıKyoto UniversityKyoto Üniversitesi, SiC transistörlerini 150 mm plaka ölçeğinde üretti↩1↩2↩3