Tek parçadan ortak sürece
Kyoto Üniversitesi ile Japon yarıiletken üreticisi Phenitec Semiconductor, silisyum karbür transistör üretimini küçük örneklerden 150 mm çapındaki plakaya taşıdı. Aynı plaka üzerinde n tipi ve p tipi aygıtlar çalıştı. Bir devre için tek transistörün çalışması yetmez; birlikte kullanılacak parçaların aynı süreçte üretilebilmesi gerekir.[1]
Ölçümün kuvvetli yanı sınırının da açık olması: merkezdeki 90 mm bölgede eşik geriliminin standart sapması 0,07 V'un altındaydı. Eşik gerilimi farklı parçaların ne zaman iletime geçtiğini belirler. Dar dağılım, devre kurmanın ön koşullarından birini karşılıyor. Açıklama, plakanın tamamında aynı dağılımı göstermiyor; dolayısıyla bu sayı bütün plakanın verimi olarak okunamaz.[1]
Çalışan devreye kalan yol
Önceki araştırma 600 °C'de çalışan bir aygıtı duyurmuştu; bu sunumun yeniliği sıcaklık rekoru değil, üretim ölçeği. Phenitec'in üretim tesisi büyük plaka işlemini mümkün kıldı. Yeni sonuç, laboratuvar düzeninden fabrika sürecine geçişte hangi parçanın taşındığını gösteriyor: küçük örnekte geliştirilen transistör üretim adımları.[1]
Sıradaki eşik, çok sayıda parçayı birlikte çalışan bir tümleşik devreye bağlamak ve üretimin plaka boyunca birörnekliğini ortaya koymak. Kyoto Üniversitesi jet motoru algılayıcılarını, jeotermal çalışmaları ve Venüs keşfini olası kullanım alanları arasında sayıyor. Bugünkü kanıt, bu ortamlarda çalışan bir sistemi kapsamıyor. Sonuçlar konferansta sunuldu; dergi makalesi henüz yayımlanmadı.[1]